在半導(dǎo)體集成電路中最微觀結(jié)構(gòu)是由PN結(jié)構(gòu)成的，PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，是現(xiàn)代電子技術(shù)中許多器件所利用的特性，例如半導(dǎo)體二極管。那么，在PN結(jié)制造中電子特氣柜發(fā)揮著什么樣的用處呢？一起來了解下吧！

PN結(jié)介紹：

P型半導(dǎo)體（P指positive，帶正電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價(jià)元素組成，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的空穴；N型半導(dǎo)體（N指negtive，帶負(fù)電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價(jià)元素組成，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負(fù)電的自由電子。

PN結(jié)：是采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成的空間電荷區(qū)。

離子注入氣體介紹：

在PN結(jié)制造中，把元素?fù)饺雴尉Ч柚械姆椒ㄓ校汉辖鸱?、擴(kuò)散法、離子注入法和外延生長法等，其中主要制造方法是離子注入工藝，將含元素離子氣體作為摻雜氣體注入到晶圓表面。

P型半導(dǎo)體主要離子注入元素為硼(B) 和銦(In) ，氣體主要為三氟化硼(BF3) 、乙硼烷(B2H6) 、磷化錮(InP) 等等；N型半導(dǎo)體主要離子注入元素為砷(As) ，磷(P) 等等，氣體主要為砷化氫(AsH3) 和磷化氳(PH3)等等。

電子特氣柜用處：

這些離子注入氣體大多都是特種氣體，具有很強(qiáng)的毒性，比如AsH3等氣體，所以在氣體輸送和制造、使用過程中具有一定的危險(xiǎn)性，如果發(fā)生泄漏等事故，將人員安全和生產(chǎn)造成極大的危害。

為了減少、甚至杜絕危險(xiǎn)事故的發(fā)生，在半導(dǎo)體集成電路制造是，會(huì)使用SEMI S2認(rèn)證的多功能電子特氣柜、氣體分配箱VMB、氣體泄漏監(jiān)測報(bào)警系統(tǒng)等特氣設(shè)備，來對(duì)這些特種氣體進(jìn)行控制，保證這些離子注入氣體的氣體純度、壓力穩(wěn)定供應(yīng)和生產(chǎn)使用安全，避免生產(chǎn)事故的發(fā)生。

綜上，電子特氣柜內(nèi)部PLC程式設(shè)計(jì)的安全聯(lián)鎖功能、高純閥件的合理選擇和布局等，可以滿足PN結(jié)制造時(shí)離子氣體（BF3、B2H6、AsH3等）作為摻雜氣體的安全穩(wěn)定使用要求。最后，感謝您的閱讀！